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TPS1101DR

制造商: NA
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TPS1101DR
描述: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NA
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) +2V, -15V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
功耗(Max) 791mW (Ta)
供应商设备包 8-SOIC
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 11.25nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 2.7V, 10V

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