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A2G35S200-01SR3
| 制造商: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| 说明书: | A2G35S200-01SR3 |
| 描述: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP USA Inc. |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| 获得 | 16.1dB |
| 系列 | - |
| 频率 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部分状态 | Active |
| 噪声图 | - |
| 目前,测试 | 291mA |
| 包/箱 | NI-400S-2S |
| 权力——输出 | 180W |
| 电压,测试 | 48V |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压,额定 | 125V |
| 额定电流(安培数) | - |
| 供应商设备包 | NI-400S-2S |
现货库存 246 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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