Image is for reference only , details as Specifications

A2T18S261W12NR3

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
说明书: A2T18S261W12NR3
描述: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - RF
获得 18.2dB
系列 -
频率 1.805GHz ~ 1.88GHz
部分状态 Not For New Designs
噪声图 -
目前,测试 1.5A
包/箱 OM-880X-2L2L
权力——输出 280W
电压,测试 28V
晶体管类型 LDMOS
电压,额定 65V
额定电流(安培数) 10µA
供应商设备包 OM-880X-2L2L

现货库存 56 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$67.68 $66.33 $65.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

MRF6VP3091NBR5
NXP USA Inc.
$67.37
MRFE6S9125NR1
NXP USA Inc.
$0
MRFE6S9125NBR1
NXP USA Inc.
$65.39
AFT26HW050SR3
NXP USA Inc.
$63.78
AFT20P140-4WGNR3
NXP USA Inc.
$62.99