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BC879,112

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书: BC879,112
描述: TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列 -
包装 Bulk
部分状态 Obsolete
权力——马克思 830mW
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
晶体管类型 NPN - Darlington
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 200MHz
供应商设备包 TO-92-3
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 1.8V @ 1mA, 1A
电流-集电极(Ic) (Max) 1A
电流-集电极截止(最大) 50nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 80V

现货库存 52 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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