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BFG10W/X,115
| 制造商: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 说明书: | BFG10W/X,115 |
| 描述: | RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP USA Inc. |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 获得 | - |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 400mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-343 Reverse Pinning |
| 晶体管类型 | NPN |
| 基础零件号 | BFG10 |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 1.9GHz |
| 供应商设备包 | 4-SO |
| 噪音指数(dB Typ @ f) | - |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 250mA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 10V |
现货库存 50 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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