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BFU660F,115

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
说明书: BFU660F,115
描述: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
获得 12dB ~ 21dB
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 225mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-343F
晶体管类型 NPN
基础零件号 BFU660
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 21GHz
供应商设备包 4-DFP
噪音指数(dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
电流-集电极(Ic) (Max) 60mA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 5.5V

现货库存 6203 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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