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PBLS2002S,115

制造商:	NXP USA Inc.
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书:	PBLS2002S,115
描述:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	NXP USA Inc.
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Obsolete
权力——马克思	1.5W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
晶体管类型	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
基础零件号	PBLS2002
电阻-基极(R1)	4.7kOhms
频率-过渡	100MHz
供应商设备包	8-SO
电阻-发射极基(R2)	4.7kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA, 3A
电流-集电极截止(最大)	1µA, 100nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V, 20V