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PDTA123ES,126

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书: PDTA123ES,126
描述: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 -
包装 Tape & Box (TB)
部分状态 Obsolete
权力——马克思 500mW
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
基础零件号 PDTA123
电阻-基极(R1) 2.2 kOhms
供应商设备包 TO-92-3
电阻-发射极基(R2) 2.2 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 1µA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 70 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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