PDTC124ES,126
制造商: | NXP USA Inc. |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
说明书: | PDTC124ES,126 |
描述: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | NXP USA Inc. |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Tape & Box (TB) |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 500mW |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
基础零件号 | PDTC124 |
电阻-基极(R1) | 22 kOhms |
供应商设备包 | TO-92-3 |
电阻-发射极基(R2) | 22 kOhms |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
电流-集电极截止(最大) | 1µA |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 88 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1