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PDTD123ES,126
| 制造商: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 说明书: | PDTD123ES,126 |
| 描述: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP USA Inc. |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Box (TB) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 500mW |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 基础零件号 | PDTD123 |
| 电阻-基极(R1) | 2.2 kOhms |
| 供应商设备包 | TO-92-3 |
| 电阻-发射极基(R2) | 2.2 kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 500nA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 98 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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