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PHB110NQ06LT,118

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: PHB110NQ06LT,118
描述: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±15V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V
功耗(Max) 200W (Tc)
供应商设备包 D2PAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 45nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3960pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 75A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 70 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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