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PHT6N06LT,135

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: PHT6N06LT,135
描述: MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±13V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 150mOhm @ 5A, 5V
功耗(Max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
供应商设备包 SOT-223
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4.5nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 5V

现货库存 56 pcs

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