PHT6N06LT,135
制造商: | NXP USA Inc. |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | PHT6N06LT,135 |
描述: | MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | NXP USA Inc. |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | TrenchMOS™ |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vg (Max) | ±13V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 150mOhm @ 5A, 5V |
功耗(Max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
供应商设备包 | SOT-223 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4.5nC @ 5V |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 5V |
现货库存 56 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1