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PHT8N06LT,135

制造商:	NXP USA Inc.
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	PHT8N06LT,135
描述:	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	NXP USA Inc.
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±13V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	80mOhm @ 5A, 5V
功耗(Max)	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
供应商设备包	SOT-223
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	11.2nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	5V