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PMDPB38UNE,115

制造商:	NXP USA Inc.
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	PMDPB38UNE,115
描述:	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	NXP USA Inc.
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	-
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Obsolete
权力——马克思	510mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	46mOhm @ 3A, 4.5V
供应商设备包	DFN2020-6
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	4.4nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	4A