PMGD175XN,115
制造商: | NXP USA Inc. |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | PMGD175XN,115 |
描述: | MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | NXP USA Inc. |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Cut Tape (CT) |
场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 390mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 225mOhm @ 1A, 4.5V |
供应商设备包 | 6-TSSOP |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 15V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 900mA |
现货库存 90 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1