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BC857B/DG/B3,215
| 制造商: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | BC857B/DG/B3,215 |
| 描述: | TRANS GEN PURPOSE TO-236AB |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia USA Inc. |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 250mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 100MHz |
| 供应商设备包 | TO-236AB |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 15nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 45V |
现货库存 61 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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