图片仅供参考,请参阅产品说明书

PDTA114EU/MIF

制造商: Nexperia USA Inc.
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书: PDTA114EU/MIF
描述: RET
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Nexperia USA Inc.
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 -
部分状态 Obsolete
权力——马克思 200mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-70, SOT-323
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
电阻-基极(R1) 10 kOhms
频率-过渡 180MHz
供应商设备包 SC-70
电阻-发射极基(R2) 10 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 1µA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 71 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PDTC144ET/DG/B2,21
Nexperia USA Inc.
$0
PDTC114ET/DG/B2,21
Nexperia USA Inc.
$0
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0