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PEMT1,115
| 制造商: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| 说明书: | PEMT1,115 |
| 描述: | TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia USA Inc. |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 300mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-563, SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 100MHz |
| 供应商设备包 | SOT-666 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 40V |
