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PHD38N02LT,118

制造商:	Nexperia USA Inc.
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	PHD38N02LT,118
描述:	MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Nexperia USA Inc.
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±12V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	16mOhm @ 25A, 5V
功耗(Max)	57.6W (Tc)
供应商设备包	DPAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	15.1nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	44.7A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	5V