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PHKD6N02LT,518

制造商:	Nexperia USA Inc.
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	PHKD6N02LT,518
描述:	MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Nexperia USA Inc.
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchMOS™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Obsolete
权力——马克思	4.17W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	20mOhm @ 3A, 5V
供应商设备包	8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	15.3nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	10.9A