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PMV130ENEA/DG/B2R

制造商: Nexperia USA Inc.
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: PMV130ENEA/DG/B2R
描述: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Nexperia USA Inc.
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型 N-Channel
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V
功耗(Max) 5W (Tc)
供应商设备包 TO-236AB
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 3.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.1A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 74 pcs

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