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PRMH2Z
| 制造商: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 说明书: | PRMH2Z |
| 描述: | PRMH2/SOT1268/DFN1412-6 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia USA Inc. |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 480mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻-基极(R1) | 47kOhms |
| 频率-过渡 | 230MHz |
| 供应商设备包 | DFN1412-6 |
| 电阻-发射极基(R2) | 47kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 1µA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |