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2N2369
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | 2N2369 |
| 描述: | NPN MED PWR HS TRANSISTOR |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 360mW |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 晶体管类型 | NPN |
| 基础零件号 | 2N2369 |
| 工作温度 | - |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | TO-18 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大) | - |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 15V |
