2SK3666-3-TB-E
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - JFETs |
说明书: | 2SK3666-3-TB-E |
描述: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - JFETs |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 200mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
基础零件号 | 2SK3666 |
电阻- RDS(上) | 200 Ohms |
工作温度 | 150°C (TJ) |
供应商设备包 | 3-CP |
电流损耗(Id) -最大 | 10mA |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电压-截止(VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
电流-排水(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
现货库存 1853 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1