Image is for reference only , details as Specifications
BDC01DRL1G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | BDC01DRL1G |
| 描述: | TRANS NPN 100V 0.5A TO-92 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 1W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 50MHz |
| 供应商设备包 | TO-92 (TO-226) |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 700mV @ 100mA, 1A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 1V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 100V |
