BSR58LT1G
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - JFETs |
说明书: | BSR58LT1G |
描述: | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - JFETs |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 350mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
基础零件号 | BSR58 |
电阻- RDS(上) | 60 Ohms |
工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | SOT-23-3 (TO-236) |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电压-截止(VGS off) @ Id | 800mV @ 1µA |
电流-排水(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8mA @ 15V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | - |