FDD6696
制造商: | ON Semiconductor |
---|---|
产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | FDD6696 |
描述: | MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | PowerTrench® |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±16V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
功耗(Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
供应商设备包 | D-PAK (TO-252) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 24nC @ 5V |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1715pF @ 15V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V, 10V |