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FDFME2P823ZT

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	FDFME2P823ZT
描述:	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	PowerTrench®
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	Schottky Diode (Isolated)
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
功耗(Max)	1.4W (Ta)
供应商设备包	6-MicroFET (1.6x1.6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	7.7nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	2.6A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.8V, 4.5V