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FDMS86101E

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: FDMS86101E
描述: FET 100V 8.0 MOHM PQFN56
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 PowerTrench®
场效应晶体管类型 N-Channel
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
功耗(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
供应商设备包 8-PQFN (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 55nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 12.4A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 6V, 10V

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参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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