FDMS86101E
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | FDMS86101E |
描述: | FET 100V 8.0 MOHM PQFN56 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | PowerTrench® |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
功耗(Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
供应商设备包 | 8-PQFN (5x6) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 55nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 50V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 12.4A (Ta), 60A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 6V, 10V |
现货库存 97 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.27 | $1.24 | $1.22 |
最低数量: 1