Image is for reference only , details as Specifications
FDS6675A
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | FDS6675A |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | PowerTrench® |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vg (Max) | ±25V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 基础零件号 | FDS6675 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| 功耗(Max) | 2.5W (Ta) |
| 供应商设备包 | 8-SOIC |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 34nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 2330pF @ 15V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 4.5V, 10V |
