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FGA30N120FTDTU
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | FGA30N120FTDTU |
| 描述: | IGBT 1200V 60A 339W TO3P |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 208nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 339W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 测试条件 | - |
| 交换能量 | - |
| Td(开/关)@ 25°C | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-3PN |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| 反向恢复时间(trr) | 730ns |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 60A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 80 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.68 | $6.55 | $6.42 |
最低数量: 1
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