FGB20N60SFD
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | FGB20N60SFD |
描述: | IGBT 600V 40A 208W D2PAK |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | Field Stop |
包装 | Cut Tape (CT) |
输入类型 | Standard |
门负责 | 65nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 208W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
测试条件 | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
基础零件号 | FGB20N60 |
交换能量 | 370µJ (on), 160µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 13ns/90ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | D²PAK |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 20A |
反向恢复时间(trr) | 34ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 40A |
集电极脉冲电流(Icm) | 60A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 617 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.83 | $1.79 | $1.76 |
最低数量: 1