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FGB20N60SFD

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: FGB20N60SFD
描述: IGBT 600V 40A 208W D2PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Field Stop
包装 Cut Tape (CT)
输入类型 Standard
门负责 65nC
部分状态 Active
权力——马克思 208W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 400V, 20A, 10Ohm, 15V
基础零件号 FGB20N60
交换能量 370µJ (on), 160µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 13ns/90ns
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A
反向恢复时间(trr) 34ns
电流-集电极(Ic) (Max) 40A
集电极脉冲电流(Icm) 60A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 617 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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