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FGD3N60UNDF

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: FGD3N60UNDF
描述: IGBT 600V 6A 60W DPAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 NPT
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 1.6nC
部分状态 Active
权力——马克思 60W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 400V, 3A, 10Ohm, 15V
基础零件号 FGD3N60
交换能量 52µJ (on), 30µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 5.5ns/22ns
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
反向恢复时间(trr) 21ns
电流-集电极(Ic) (Max) 6A
集电极脉冲电流(Icm) 9A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 1900 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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