图片仅供参考，请参阅产品说明书

FQD12N20LTM-F085

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	FQD12N20LTM-F085
描述:	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101, QFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Not For New Designs
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
功耗(Max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
供应商设备包	D-Pak
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	21nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	9A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	5V, 10V