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H11G3M
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| 说明书: | H11G3M |
| 描述: | OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| 系列 | - |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | Darlington with Base |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 数量的渠道 | 1 |
| 电压-隔离 | 7500Vpk |
| Vce饱和(Max) | 1.2V |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 升降时间(Typ) | - |
| 电压-输出(最大) | 55V |
| 供应商设备包 | 6-DIP |
| 电流-输出/通道 | - |
| 电流传递比(Max) | - |
| 电流传递比(Min) | 200% @ 1mA |
| 电压正向(Vf) (Typ) | 1.3V |
| 开机/关机时间(Typ) | 5µs, 100µs |
| 电流-直流正向(If)(最大) | 60mA |
