HGT1S12N60A4S9A
制造商: | ON Semiconductor |
---|---|
产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | HGT1S12N60A4S9A |
描述: | IGBT 600V 54A 167W TO263AB |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | - |
包装 | Digi-Reel® |
输入类型 | Standard |
门负责 | 78nC |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 167W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
测试条件 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
基础零件号 | HGT1S12N60 |
交换能量 | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 17ns/96ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | TO-263AB |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 54A |
集电极脉冲电流(Icm) | 96A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 72 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1