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HGT1S12N60A4S9A

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: HGT1S12N60A4S9A
描述: IGBT 600V 54A 167W TO263AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 78nC
部分状态 Obsolete
权力——马克思 167W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 390V, 12A, 10Ohm, 15V
基础零件号 HGT1S12N60
交换能量 55µJ (on), 50µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 17ns/96ns
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
电流-集电极(Ic) (Max) 54A
集电极脉冲电流(Icm) 96A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 72 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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