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HGTD1N120BNS9A
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | HGTD1N120BNS9A |
| 描述: | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | NPT |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 14nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 60W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 测试条件 | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| 基础零件号 | HGTD1N120 |
| 交换能量 | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 15ns/67ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-252AA |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 5.3A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 6A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
