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HGTG30N60C3D

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: HGTG30N60C3D
描述: IGBT 600V 63A 208W TO247
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 162nC
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 208W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
测试条件 -
基础零件号 HGTG30N60
交换能量 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Td(开/关)@ 25°C -
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
反向恢复时间(trr) 60ns
电流-集电极(Ic) (Max) 63A
集电极脉冲电流(Icm) 252A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 844 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.84 $7.68 $7.53
最低数量: 1

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