HGTG5N120BND
制造商: | ON Semiconductor |
---|---|
产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | HGTG5N120BND |
描述: | IGBT 1200V 21A 167W TO247 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | NPT |
包装 | Tube |
输入类型 | Standard |
门负责 | 53nC |
部分状态 | Not For New Designs |
权力——马克思 | 167W |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-247-3 |
测试条件 | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
交换能量 | 450µJ (on), 390µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 22ns/160ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | TO-247-3 |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
反向恢复时间(trr) | 65ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 21A |
集电极脉冲电流(Icm) | 40A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 63 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.81 | $2.75 | $2.70 |
最低数量: 1