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HGTP10N120BN
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | HGTP10N120BN |
| 描述: | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | NPT |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 100nC |
| 部分状态 | Not For New Designs |
| 权力——马克思 | 298W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-220-3 |
| 测试条件 | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| 交换能量 | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 23ns/165ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 35A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 63 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.77 | $1.73 | $1.70 |
最低数量: 1
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