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HGTP12N60A4D

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: HGTP12N60A4D
描述: IGBT 600V 54A 167W TO220AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 78nC
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 167W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3
测试条件 390V, 12A, 10Ohm, 15V
基础零件号 HGTP12N60
交换能量 55µJ (on), 50µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 17ns/96ns
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
反向恢复时间(trr) 30ns
电流-集电极(Ic) (Max) 54A
集电极脉冲电流(Icm) 96A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 492 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.63 $2.58 $2.53
最低数量: 1

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