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HGTP5N120BND
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | HGTP5N120BND |
| 描述: | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | NPT |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 53nC |
| 部分状态 | Not For New Designs |
| 权力——马克思 | 167W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-220-3 |
| 测试条件 | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| 交换能量 | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 22ns/160ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| 反向恢复时间(trr) | 65ns |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 21A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 40A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 99 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.29 | $1.26 | $1.24 |
最低数量: 1
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