IRLW610ATM
制造商: | ON Semiconductor |
---|---|
产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | IRLW610ATM |
描述: | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V |
功耗(Max) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
供应商设备包 | I2PAK (TO-262) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 9nC @ 5V |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 5V |
现货库存 91 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1