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MJ11016G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | MJ11016G |
| 描述: | TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tray |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 200W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-204AA, TO-3 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 4MHz |
| 供应商设备包 | TO-204 (TO-3) |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 30A |
| 电流-集电极截止(最大) | 1mA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 20A, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 120V |
