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MJD112G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | MJD112G |
| 描述: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tube |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1.75W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 基础零件号 | MJD112 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 25MHz |
| 供应商设备包 | DPAK |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大) | 20µA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 100V |
现货库存 324 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.67 | $0.66 | $0.64 |
最低数量: 1
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