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MJD117-1G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | MJD117-1G |
| 描述: | TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tube |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1.75W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 基础零件号 | MJD117 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 25MHz |
| 供应商设备包 | I-PAK |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大) | 20µA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 100V |
