图片仅供参考，请参阅产品说明书
MJE5742G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | MJE5742G |
| 描述: | TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tube |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 2W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | TO-220AB |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 3V @ 400mA, 8A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大) | - |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 400V |
