图片仅供参考,请参阅产品说明书

MMUN2133LT1G

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书: MMUN2133LT1G
描述: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 246mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
基础零件号 MMUN21**L
电阻-基极(R1) 4.7 kOhms
供应商设备包 SOT-23-3 (TO-236)
电阻-发射极基(R2) 47 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 26675 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

MMUN2113LT1G
ON Semiconductor
$0
MMUN2232LT1G
ON Semiconductor
$0
MMUN2111LT1G
ON Semiconductor
$0
MMUN2214LT1G
ON Semiconductor
$0
MMUN2211LT1G
ON Semiconductor
$0