Image is for reference only , details as Specifications

NDDL01N60Z-1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	NDDL01N60Z-1G
描述:	MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	15Ohm @ 400mA, 10V
功耗(Max)	26W (Tc)
供应商设备包	IPAK (TO-251)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	4.9nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	92pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	800mA (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V