NGTB50N120FL2WG
制造商: | ON Semiconductor |
---|---|
产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | NGTB50N120FL2WG |
描述: | IGBT 1200V 100A 535W TO247 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
包装 | Tube |
输入类型 | Standard |
门负责 | 311nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 535W |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-247-3 |
测试条件 | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
交换能量 | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 118ns/282ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
供应商设备包 | TO-247 |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
反向恢复时间(trr) | 256ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100A |
集电极脉冲电流(Icm) | 200A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 72 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$5.88 | $5.76 | $5.65 |
最低数量: 1